Aluminiumnitrid elektrisch isolierend / Wärme leitend
Hochgradig texturiertes Aluminiumnitrid AlN (c-Achsen Orientierung)
Schichten aus mikrokristallinem Aluminiumnitrid weisen einen ausgeprägten piezoelektrischen Effekt auf. Dazu muss eine spezifische bevorzugte Kristallorientierung während des Wachstums erzeugt werden - die sogenannte c-Achsen Orientierung. Durch die geeignete Wahl der Prozessparameter bei der Sputter-Deposition werden vollständig c-Achsen orientierte Schichten bei Temperaturen von nur 550 Kelvin abgeschieden. Diese Schichten eignen sich vorzüglich zur Herstellung von Sensoren oder elektronischen Bauelementen wie den sogenannten SAW (surface acoustic wave) -devices.
Nachfolgend finden Sie eine Auswahl kristallographischer und optischer Eigenschaften dieser Schichten:
| Röntgendiffraktogramme für AlN-Schichten hergestellt unter Variation des Parameters X |
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optisches Transmissionsspektrum einer ca. 2 µm dicken AlN-Schicht |
| Prozedur zur Bestimmung der optischen Bandlücke dieser Schicht nach TAUC |
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