Siliciumoxid - eine transparente, korrosionsfeste Diffusionsbarriere
Siliciumoxid hat sich in der Halbleitertechnologie wegen seines extrem hohen spezifischen Widerstandes und seiner Durchschlagsfestigkeit als eine immens wichtige dünne Schicht etabliert. Zumeist wird Siliciumoxid in Plattenreaktoren mithilfe einer Hochfrequenz-PCVD auf ebenen Substraten deponiert. Die von PT&B entwickelte Technologie für die Plasma-CVD gestattet neben der Abscheidung in Plattenreaktoren mit 600 mm Durchmesser auch die Beschichtung von großen, dreidimendionalen Objekten in einer Vakuumkammer mit einem Kubikmeter Nutzvolumen. Dabei können hochisolierende und harte Schichten bereits bei Temperaturen von unter 100 Grad Celsius aufgebracht werden.
Quantitative Analyse einer Siliciumoxidschicht aus der großvolumigen Abscheidung der PT&B GmbH. Das Siliciumoxid weist an der ungereinigten Oberfläche eine Stöchiometrie von O/Si = 1.95 auf. Durch die Sputter-Erosion zur Anfertigung von Tiefenprofilen (Effekt des "preferential sputtering") wird die Stöchiometrie verfälscht. Zusätzlich zeigt die Schicht noch eine Kontamination durch Kohlenstoff.