Die Eigenschaften von SilCor® Siliciumkarbid

Klassifikation gemäß VDI-Richtlinie 2840

»Kohenstoffschichten - Grundlagen, Schichttypen und Eigenschaften«
modifizierte wasserstoffhaltige amorphe Kohlenstoffschicht (Schicht 2.7, a-C:H:X)
Herstellungsverfahren
Plasmachemische Gasphasenabscheidung (PCVD, PECVD, PACVD)
Depositionstemperatur: T=280 oC (alternativ 50 oC bis 550 oC
Chemische Zusammensetzung

(Beschichtung bei einer Temperatur von 280oC und spezifischem Gasgemisch)
18 at% Si, 44 at% C, 1 at% O, 37 at% H (SIMS Tiefenprofil, Analyse integral)
Mechanische Eigenschaften (a-Si0.18C0.44:H, 2 µm)
Dicke: 1 - 5 µm, typisch 2 µm
Oberflächenrauheit: ca. 0,04 µm
Universalhärte: UH = 18 GPa
Vickershärte: HV0.01 = 1900
Elastizitätsmodul: E = 145 GPa
Elastische Deformation: WE/P = 70 %
Eigenspannung: s = 0,3 GPa
Reibungskoeffizient (Stahl trocken): µ = 0,17
Dichte: rho = 2,4 g/cm3
Physikalisch-chemische Eigenschaften
spezifischer elektrischer Widerstand: 1012Ωcm
Morphologie: Amorph
Temperaturbeständigkeit: bis 700 oC
Chemische Resistenz: Resistent gegen Säuren, Laugen, Salze und oxidierende Medien
Entschichtung: mechanisch
Transmissionsspektrum einer SiC Schicht im sichtbaren und nahem infraroten Spektralbereich (VIS / NIR). Je nach Gehalt an Silicium (und gegebenenfalls auch Sauerstoff) sind die Schichten weitgehend transparent. Durch Interferenzen von Licht, das an der Schichtoberseite bzw. Unterseite reflektiert wird, entstehen in Abhängigkeit von der Schichtdicke Minima und Maxima in der Transmission, die visuell als farbiges Schillern ("changieren") erscheinen.



TM-Spektrum%20Si42C58
Erläuterungen: Die angegebenen Werte beziehen sich auf Messungen an ausgewählten, typischen Probekörpern. Wegen der im Plasma bekannten Geometrieeffekte können die gemessenen Eigenschaften insbesondere in Abhängigkeit von der Größe der Substrate variieren. Zur genauen Bestimmung der Schichteigenschaften am spezifischen Beschichtungsgut soll unbedingt eine Bemusterung im Kundenauftrag erfolgen.